Q79.
下列有關N 通道MOSFET 之敘述，何者正確？
電力電子 · 甲級 · 電子學 · Q79
難易度分析
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此題需同時辨別兩項正確敘述，並須掌握 MOSFET 的符號、飽和區特性與控制方式，難度較高。
正確答案 (複選)：②, ③
- ② 其工作於飽和區時閘極對源極電壓為正:N 通道 MOSFET 工作於飽和區（恆流區）時，閘極對源極電壓（V_GS）必須大於臨界電壓（V_th）且為正值，以形成導電通道並維持元件導通。
- ③ 其為電壓控制元件:MOSFET（金屬氧化物半導體場效電晶體）屬於電壓控制元件，其汲極電流（I_D）由閘源電壓（V_GS）控制，閘極輸入阻抗極高，幾乎不吸取電流，此為與BJT（電流控制元件）的核心差異。
錯誤選項解析
- ① 其簡化的電路符號如下圖所示:圖中所示符號的箭頭方向指向通道（向內），這是 P 通道 MOSFET 的電路符號。N 通道 MOSFET 的箭頭應指向外（遠離通道），因此此圖示不正確。
- ④ 其工作於飽和區時汲極對源極電壓為負:N 通道 MOSFET 工作於飽和區時，汲極對源極電壓（V_DS）應為正值（V_DS > V_GS - V_th），而非負值。V_DS 為負值的情況適用於 P 通道 MOSFET。
Learning Tip
"MOSFET 通道類型判斷為常考重點：N 通道符號箭頭向外，P 通道箭頭向內，可記憶為「N = out（出）、P = in（入）」。此外需區分電壓控制元件（MOSFET、JFET）與電流控制元件（BJT）的本質差異，MOSFET 的閘極輸入阻抗極高（可達 10¹² Ω 以上），幾乎不消耗驅動電流，這是其在數位電路與功率開關應用中廣泛使用的關鍵原因。操作區域方面，飽和區（恆流區）條件為 V_GS > V_th 且 V_DS ≥ V_GS - V_th，此時 I_D 幾乎與 V_DS 無關。"
學員答題分佈
①其簡化的電路符號如下圖所示0%
②其工作於飽和區時閘極對源極電壓為正0%
③其為電壓控制元件0%
④其工作於飽和區時汲極對源極電壓為負0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！