Q69.
FET 在低的V D S 時，可視為
數位電子 · 乙級 · 電子學與電子電路 · Q69
難易度分析
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此題考察半導體元件在不同電壓條件下的工作特性。判斷難度取決於是否能精確區分歐姆區與飽和區的物理特性，屬於基礎概念的單一對應題目。
正確答案：③電阻
③ 電阻:當 V_DS 很低時，FET 工作於歐姆區（Ohmic/Triode Region），汲極與源極間呈現電壓控制電阻特性，其通道電阻值由 V_GS 控制。
錯誤選項解析
- ① 定電流器:定電流器是 FET 操作於飽和區（Saturation Region）時的特性，此時 V_DS 較大且 I_D 幾乎不隨 V_DS 變化，而非低 V_DS 條件。
- ② 定電壓器:FET 本身不具備定電壓功能，定電壓輸出通常需搭配負回授電路或稽納二極體等元件才能實現。
- ④ 電感器:電感器是儲存磁能的被動元件，FET 作為主動半導體元件，其工作原理基於電場控制通道導電性，與電感特性無關。
Learning Tip
"本題考 FET 的三大工作區域判別：歐姆區（低 V_DS）→ 電阻特性、飽和區（高 V_DS）→ 定電流特性、截止區（V_GS < V_th）→ 無通道導通。實務上常利用歐姆區特性設計可變電阻器或類比開關，而飽和區則用於放大電路設計，切勿混淆兩者的 V_DS 條件與應用場景。"
學員答題分佈
①定電流器0%
②定電壓器0%
③電阻0%
④電感器0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！