Q105.
場效電晶體（FET）包含哪些應用？
數位電子 · 乙級 · 電子學與電子電路 · Q105
難易度分析
4 / 5
此題為複選題型，要求考生必須精確判斷多項技術應用的正確性。除了需掌握 FET 在不同工作區（歐姆區與飽和區）的電性特徵外，還須具備區分不同半導體元件物理特性（如負電阻效應）的能力，並將元件特性與實際儲存技術結構連結，對知識的廣度與精準度要求較高。
正確答案 (複選)：①, ②, ④
- ① 壓變電阻:場效電晶體工作於歐姆區（線性區）時，其汲源極間電阻可由閘極電壓控制，因此可作為壓控可變電阻使用，廣泛應用於可程式增益放大器與類比開關電路。
- ② 電阻負載:FET可作為主動負載（電阻負載）應用於共源極放大器或CMOS反相器中，利用其飽和區的高輸出阻抗特性取代傳統電阻，以提升電壓增益並節省晶片面積。
- ④ 記憶裝置:FET是記憶裝置的核心元件，例如快閃記憶體（Flash）採用浮動閘極FET結構，SRAM以FET構成鎖存器，DRAM則以單顆FET搭配電容作為儲存單元。
錯誤選項解析
- ③ 負電阻:場效電晶體本身不具備負電阻特性；負電阻效應通常見於穿隧二極體或耿氏二極體等元件，FET的I-V特性曲線中並無負斜率區域。
Learning Tip
"此類題型常考FET的三大工作區域（截止區、歐姆區、飽和區）及其對應應用。易混淆點：壓控電阻需工作於歐姆區，放大器需工作於飽和區，而負電阻並非FET的特性，應與穿隧二極體的負微分電阻效應區分。實務上需熟記MOSFET在數位IC與類比電路中的多元應用。"
學員答題分佈
①壓變電阻0%
②電阻負載0%
③負電阻0%
④記憶裝置0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！