LONGEPASS
數位電子/微控制器系統/Q21
簡單
正確率 -
Q21.

下列記憶體存取時間最快者為

數位電子 · 乙級 · 微控制器系統 · Q21

難易度分析

2 / 5

此題考察儲存裝置層級的存取效率排序。考生需掌握從 CPU 內部元件到輔助儲存裝置的存取時間差異,以及各類半導體記憶體之間的性能等級區分。

正確答案:①暫存器

① 暫存器:暫存器位於 CPU 內部,直接與 ALU(算術邏輯單元) 相連,存取時間僅需約 1 個時脈週期,是所有記憶體層級中速度最快的。

錯誤選項解析

  • ② SRAM:SRAM(靜態隨機存取記憶體) 雖以 正反器 儲存資料且無需刷新,速度優於 DRAM,但仍需透過 位址匯流排 存取,延遲高於 CPU 內部的暫存器。
  • ③ DRAM:DRAM(動態隨機存取記憶體) 以 電容 儲存電荷來表示資料,需定期執行 刷新(Refresh) 動作,且存取時需經過行列位址選通,速度慢於 SRAM 與暫存器。
  • ④ 磁碟:磁碟 屬於 機械式輔助儲存裝置,需依賴磁頭移動與碟片旋轉進行讀寫,存取時間為 毫秒級,遠慢於所有半導體記憶體。
Learning Tip

"本題考 記憶體階層(Memory Hierarchy) 的存取速度比較。常考陷阱為混淆 SRAM 與 DRAM 的特性:SRAM 用於 快取記憶體(Cache),DRAM 用於 主記憶體。實務上需牢記速度排序:暫存器 > Cache > SRAM > DRAM > 磁碟,且越靠近 CPU 的儲存單元成本越高、容量越小。"

學員答題分佈

①暫存器0%
②SRAM0%
③DRAM0%
④磁碟0%

此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析!

相似類型題目