Q30.
有關DRAM 特性的敘述，下列何者錯誤？
數位電子 · 乙級 · 電腦與周邊設備 · Q30
難易度分析
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此題考查記憶體基本架構的特性辨析，需精確掌握 DRAM 與 SRAM 在存取速度、儲存單元構造及運作機制上的根本差異，並理解其技術特性對硬體設計（如接腳數與容量）的影響。
正確答案：④有較佳的存取速度
④ 有較佳的存取速度:DRAM 因需透過電容充放電讀寫資料，且需額外刷新週期，其 存取速度 實際上慢於採用正反器結構的 SRAM，故此敘述錯誤，為本題正確答案。
錯誤選項解析
- ① 單一晶片容量較大:DRAM 採用 1T1C（一電晶體一電容） 的簡單儲存單元結構，單位面積可集成更多儲存單元，因此單一晶片的 記憶體容量 確實較大，此敘述正確。
- ② 需要有復新（Refresh）動作:DRAM 利用電容儲存電荷來表示資料，但電容會因 漏電流 逐漸放電，因此必須定期執行 Refresh（刷新） 動作以維持資料正確性，此敘述正確。
- ③ 包裝上較少的外部接腳:DRAM 採用 位址多工技術（Address Multiplexing），將行位址與列位址分時共用同一組接腳輸入，因此封裝上的 外部接腳數 確實較少，此敘述正確。
Learning Tip
"本題核心考點為 DRAM 與 SRAM 的特性比較。常考陷阱在於混淆兩者的速度表現：SRAM 速度快但成本高、容量小，常用於 快取記憶體（Cache）；DRAM 速度慢但容量大、成本低，用於 主記憶體。另外需熟記 DRAM 的三大特徵：需要刷新、位址多工、1T1C 結構。"
學員答題分佈
①單一晶片容量較大0%
②需要有復新（Refresh）動作0%
③包裝上較少的外部接腳0%
④有較佳的存取速度0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！