Q45.
下圖元件符號為
工業電子 · 丙級 · 電子電機識圖 · Q45
難易度分析
3 / 5
本題需要考生具備準確辨識各類場效電晶體符號細節的能力。由於選項中包含多種外形高度相似的半導體元件符號，僅憑模糊印象極易混淆，必須透過對通道線型、絕緣間隙結構以及箭頭指向的細微差異進行嚴格比對，才能在眾多相似的干擾選項中正確區分出特定元件的構造特徵。
正確答案：③N 通道E-MOSFET
③ N 通道E-MOSFET:N 通道 E-MOSFET（增強型金氧半場效電晶體）符號特徵：通道以虛線表示（無偏壓時不導通）、閘極與通道間有絕緣層間隙、箭頭方向由通道指向外部（N 型特徵），符合圖中符號。
錯誤選項解析
- ① N 通道JFET:JFET 符號特徵為通道以實線表示，且閘極箭頭直接指向通道，無絕緣層結構；圖中符號具有虛線通道與閘極絕緣間隙，屬於 MOSFET 而非 JFET。
- ② P 通道DE-MOSFET:P 通道 DE-MOSFET 的箭頭方向應指向通道內部（表示 P 型），且 DE-MOSFET 通道為實線（空乏型可導通）；圖中箭頭方向與通道型態均不符。
- ④ PNP 電晶體:PNP 電晶體符號為三端元件（基極、集極、射極），射極箭頭指向基極，結構與 MOSFET 完全不同；圖中符號具有閘極絕緣結構，屬於場效電晶體而非雙載子電晶體。
Learning Tip
"本題核心考點為 FET 元件符號辨識。關鍵區別：① E-MOSFET（虛線） 與 DE-MOSFET（實線） 的通道線型差異；② N 通道（箭頭向外） 與 P 通道（箭頭向內） 的箭頭方向判斷；③ JFET（無絕緣層） 與 MOSFET（有絕緣間隙） 的閘極結構差異。實務上 E-MOSFET 最常用於功率開關電路，因其常閉特性可避免誤觸發。"
學員答題分佈
①N 通道JFET0%
②P 通道DE-MOSFET0%
③N 通道E-MOSFET0%
④PNP 電晶體0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！