Q132.
欲使一N 通道空乏型MOSFET 操作於截止區，則閘極(G)對源極(S)應加
工業電子 · 丙級 · 電子學 · Q132
難易度分析
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考查半導體元件特性時，極易混淆不同類型場效電晶體的偏壓極性，需要精確掌握各操作區間所需的控制電壓方向，稍有不慎即容易選錯選項。
正確答案：①負電壓
① 負電壓:N通道空乏型MOSFET在V_GS=0時已有導通通道，需施加負閘源電壓使通道內的電子被排斥，當電壓低於夾止電壓V_P時通道完全空乏，元件進入截止區。
錯誤選項解析
- ② 正電壓:施加正電壓會吸引更多電子進入通道，使導通程度增強而非截止，此為空乏型MOSFET的增強模式操作，元件會處於歐姆區或飽和區。
- ③ 零電位:零電位時空乏型MOSFET因內建通道而維持導通，此時汲極電流為I_DSS（飽和漏極電流），並非截止狀態。
- ④ 正負電壓皆可:正電壓會使導通更強烈，只有負電壓才能實現截止，故正負電壓皆可的說法錯誤。空乏型與增強型MOSFET的偏壓條件不可混淆。
Learning Tip
"空乏型MOSFET與增強型MOSFET的偏壓條件為常考陷阱：空乏型在V_GS=0時已導通，需加負電壓才能截止；增強型則需加正電壓才能導通。實務設計電路時須確認元件類型，避免偏壓極性接反導致電路無法動作。"
學員答題分佈
①負電壓0%
②正電壓0%
③零電位0%
④正負電壓皆可0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！