Q5.
N 型矽或鍺半導體
工業電子 · 丙級 · 電子學 · Q5
難易度分析
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本題主要考察半導體材料摻雜後的微觀特性，屬於基礎的理論記憶型題目。選項內容直接對應特定半導體類型的內部載子分佈特性，只要清楚掌握基本名詞定義即可順利判斷，不包含複雜的干擾陷阱或多重概念組合。
正確答案：④含有多量的電子
④ 含有多量的電子:N型半導體摻入五價施體雜質（如磷、砷），其額外價電子游離後形成大量自由電子作為多數載子。
錯誤選項解析
- ① 為絕緣體:N型半導體屬於摻雜半導體，具有適度的導電能力，並非絕緣體。
- ② 含有多量電洞:N型半導體的多數載子為電子，電洞僅為少數載子，含量極低。
- ③ 是不良的導電體:N型半導體因摻入五價雜質提供自由電子，其導電性優於本質半導體。
Learning Tip
"此類題型常考N型與P型半導體的載子差異：N型以電子為多數載子，P型以電洞為多數載子。切記施體雜質（五價）產生N型，受體雜質（三價）產生P型，此為設計PN接面、二極體與電晶體的基礎觀念。"
學員答題分佈
①為絕緣體0%
②含有多量電洞0%
③是不良的導電體0%
④含有多量的電子0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！