Q87.
飽和型電晶體開關電路比非飽和型電晶體開關電路速度慢，其主要原因為
工業電子 · 丙級 · 電子學 · Q87
難易度分析
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考查雙極性接面電晶體開關電路的暫態響應特性，需理解不同時間參數在載子導通與截止過程中的物理意義，並釐清各切換階段所受的實質影響，避免將整體的開關延遲與特定載子移除過程混淆。
正確答案：①儲存時間較長
① 儲存時間較長:當 BJT 電晶體 進入深度 飽和區 時，基極區域 會累積大量 少數載子，關斷時必須先耗時移除這些 儲存電荷，此段 儲存時間 (Storage Time) 即為飽和型開關速度較慢的主因。
錯誤選項解析
- ② 延遲時間較長:延遲時間 (Delay Time) 主要與 接面電容 的充電過程有關，並非飽和與非飽和型開關的主要差異點，兩者延遲時間差異不大。
- ③ 上昇時間較長:上昇時間 (Rise Time) 取決於電晶體的 跨導 與 負載條件，飽和型與非飽和型在此參數上並無顯著差異，不是造成速度落後的主因。
- ④ 下降時間較長:下降時間 (Fall Time) 雖受儲存電荷影響，但其本身並非獨立的主因，實際上是 儲存時間 延長後才連帶影響整體關斷過程。
Learning Tip
"此題核心考點為 BJT 開關特性之時間參數。飽和型開關 因 儲存時間 過長而降低切換速度，實務上常採用 蕭特基箝位 (Schottky Clamping) 或讓電晶體工作於 非飽和區 來避免載子累積，進而提升開關速度。常見陷阱是將 儲存時間 與 下降時間 混淆，需牢記：飽和造成的速度瓶頸在於「儲存電荷的移除時間」而非其他切換參數。"
學員答題分佈
①儲存時間較長0%
②延遲時間較長0%
③上昇時間較長0%
④下降時間較長0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！