Q43.
雙載子電晶體交換電路，工作於非飽和區，交換速度很短，主要乃是電路不工作在
工業電子 · 丙級 · 電子學 · Q43
難易度分析
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考查雙載子電晶體在切換過程中影響速度的核心物理機制，需清楚辨別各個工作區對載子累積與消散的影響，以及如何透過避開特定操作區來縮短開關延遲時間。
正確答案：③飽和區
③ 飽和區:飽和區會產生少數載子儲存效應，當電晶體進入飽和時，基區會累積過量的少數載子，關斷時需花費額外的儲存時間來清除這些載子，導致交換速度變慢。避免工作在飽和區即可消除此延遲。
錯誤選項解析
- ① 截止區:截止區是電晶體關閉的狀態，此時集極電流幾乎為零。交換電路必須經過截止區才能完成關斷動作，因此電路並非不工作於此區。
- ② 動作區:動作區（主動區）是電晶體用於線性放大時的工作區域，集極電流與基極電流呈比例關係。非飽和區交換電路實際上正是讓電晶體在動作區與截止區之間切換。
- ④ 電阻區:電阻區通常用於描述 MOSFET 的歐姆區特性，而非雙載子電晶體（BJT）的標準工作區域分類，此選項名詞不適用於 BJT 的操作區域定義。
Learning Tip
"此題核心考點為飽和區儲存延遲效應。BJT 交換電路的速度瓶頸來自飽和時基區累積的過量少數載子，關斷時必須先清除這些載子才能退出飽和，造成儲存時間（storage time）延遲。實務上常使用蕭基箝位二極體或抗飽和電路來防止電晶體進入深度飽和，以提升交換速度。容易混淆的是：非飽和區電路仍會經過截止區與動作區，只是刻意避開飽和區以消除儲存延遲。"
學員答題分佈
①截止區0%
②動作區0%
③飽和區0%
④電阻區0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！