Q125.
矽質材料二極體串聯一個4KΩ的電阻，接上一12V 的順向偏壓，若考慮障壁電位，則電阻兩端的電壓為
工業電子 · 丙級 · 電子學 · Q125
難易度分析
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考查基本半導體元件的順向壓降特性與電路分析能力，需要正確辨識不同材質的壓降數值並應用電路定律進行計算，選項中設計了針對材料特性差異的干擾數值以增加鑑別度。
正確答案：①11.3V
① 11.3V:矽質二極體的順向障壁電位約為 0.7V，根據克希荷夫電壓定律 (KVL)，電阻兩端電壓 = 電源電壓 12V − 0.7V = 11.3V。
錯誤選項解析
- ② 11.6V:11.6V 對應的障壁電位為 0.4V，此數值不符合矽質二極體的標準順向壓降特性，屬於混淆數值。
- ③ 11.7V:11.7V 對應的障壁電位為 0.3V，此為鍺質二極體的順向壓降，而非矽質材料。此選項常作為與矽質特性混淆的陷阱。
- ④ 12V:12V 表示完全忽略二極體的障壁電位，實際串聯電路中二極體必然產生順向壓降，電阻電壓不可能等於電源電壓。
Learning Tip
"此類題型的核心考點在於區分矽質二極體 (0.7V) 與鍺質二極體 (0.3V) 的順向障壁電位差異。解題時務必先確認材料類型，再運用 KVL 計算元件分壓。常見陷阱為選項同時出現 11.3V 與 11.7V，考生若未仔細審題「矽質」關鍵字即易選錯。"
學員答題分佈
①11.3V0%
②11.6V0%
③11.7V0%
④12V0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！