Q116.
在共汲(洩)極MOS FET 電路中若gm=1600μU,Rs=500Ω,則此放大器之增益約為
視聽電子 · 甲級 · 無線電學 · Q116
難易度分析
2 / 5
此題屬於單一選擇題,主要檢視基礎電子組態之核心物理特性與簡易公式應用。題目透過數值區間設計提供明確的篩選方向,考生只需掌握該電路的基本增益限制,即可快速排除不符合物理特性的選項,其餘推論步驟直接且計算門檻低,整體結構清晰,屬基礎概念直接驗證的標準題型。
正確答案:②0.8
② 0.8:共汲極放大器的電壓增益可由 跨導 gm 與 源極電阻 Rs 的乘積估算,即 Av ≈ gm × Rs = 1600μS × 500Ω = 0.8。此為源極隨耦器的典型增益近似值,符合 MOSFET 小信號模型 的運算原理。
錯誤選項解析
- ① 0.5:共汲極放大器(源極隨耦器)的增益計算中,0.5 並非正確的 gm×Rs 乘積值。正確計算應為 1600μS × 500Ω = 0.8,此數值偏離實際運算結果。
- ③ 2:增益值 2 遠大於 源極隨耦器 的物理上限。共汲極組態的電壓增益恆小於 1(unity),不可能達到大於 1 的放大倍率,此選項混淆了 共源極放大器 的特性。
- ④ 4:增益值 4 同樣違反 共汲極電路 的基本特性。源極隨耦器的增益永遠接近但小於 1,此數值可能誤用了 共源極 或 共閘極 放大器的增益公式。
Learning Tip
"共汲極放大器(源極隨耦器)的核心特性是 電壓增益小於且接近於 1、高輸入阻抗 與 低輸出阻抗,常用作 阻抗匹配 的緩衝級。常考陷阱在於混淆三種 MOSFET 基本組態(共源極、共汲極、共閘極)的增益特性:共源極增益大於 1 且反相,共汲極增益小於 1 且同相,共閘極增益大於 1 且同相。計算時需注意 跨導 gm 的單位換算(μS 或 μ℧ 需轉換為 10⁻⁶ S)。"
學員答題分佈
①0.50%
②0.80%
③20%
④40%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析!
相似類型題目
共汲(洩)極放大器(MOS FET)具有下列特性
如下圖電路所示,已知VD D =15V,R S = 1kΩ,R D = 4kΩ,I D =1.5mA,R G =1MΩ,ID SS =12mA,V P =−3V,則下列選項敘述何者正確?
如下圖電路所示,假設MOSFET 臨界電壓V T= 1V,直流電流ID = 2 mA,且rd 忽略不計,則下列敘述何者正確?
MOSFET 差動放大器如下圖,Io=0.2mA,MOS 參數K=0.2mA/V 2,λ2=λ4=0.01V - 1,則差模增益Ad 約為
如下圖電路所示,為場效應電晶體(MOSFET)的放大電路,若ID Q= 2 mA,k = 0.5 mA/V 2,VG S(t) = 1V,且忽略其他因素,則下列敘述何者正確?