Q138.
於矽半導體中摻入硼的雜質，下列敘述何者正確？
數位電子 · 甲級 · 電子學與電子電路 · Q138
難易度分析
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此題為基礎多選題，重點在於掌握三族元素摻雜會產生 P 型半導體以及多數載子為電洞的關係，沒有額外的計算或細節陷阱。
正確答案 (複選)：③, ④
- ③ 應屬於P 型半導體:硼屬於三族受體雜質（Acceptor），摻入四族矽晶體後因價電子不足而產生電洞，形成P型半導體。此為半導體製程中摻雜技術的基本原理。
- ④ 其多數載子為電洞:P型半導體中，受體雜質硼接受矽的價電子後產生電洞，因此多數載子為電洞。電洞濃度遠大於熱激發產生的電子濃度，符合質量作用定律（np = ni²）。
錯誤選項解析
- ① 應屬於N 型半導體:硼為三族元素（價電子數為3），摻入矽晶體後會產生電洞而非自由電子，因此形成的是P型半導體而非N型半導體。N型半導體需摻入五族元素（如磷、砷）。
- ② 其多數載子為電子:摻硼形成的P型半導體中，多數載子為電洞，少數載子才是電子。電子為多數載子是N型半導體的特性。
Learning Tip
"本題核心考點為摻雜雜質與載子類型的對應關係。切記：三族元素（硼、銦、鎵）→ P型 → 電洞為多數載子；五族元素（磷、砷、銻）→ N型 → 電子為多數載子。常考陷阱為混淆「多數載子」與「少數載子」的對應，或將受體（Acceptor）與施體（Donor）搞混。實務上，摻雜濃度直接決定半導體的導電度與元件特性。"
學員答題分佈
①應屬於N 型半導體0%
②其多數載子為電子0%
③應屬於P 型半導體0%
④其多數載子為電洞0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！