Q3.
下圖為
數位電子 · 乙級 · 電機電子識圖 · Q3
難易度分析
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此題要求考生將硬體接腳（位址線）數量轉化為儲存容量，並根據電路結構特性辨識記憶體類型。難度在於需具備位址線與位址空間的換算能力，並能透過電路圖中的控制訊號特性來區分動態與靜態隨機存取記憶體。
正確答案：③64K×1DRAM
③ 64K×1DRAM:64K×1 代表 65536（2¹⁶）個位址，需 16 條位址線，符合圖示接腳配置。DRAM 以單一電晶體加電容（1T1C）儲存資料，需定期Refresh，為常見之動態隨機存取記憶體架構。
錯誤選項解析
- ① 256×1DRAM:256×1 僅有 256 個位址空間（需 8 條位址線），容量遠小於圖示晶片規格，且 DRAM 的儲存原理為電容充電，需搭配Refresh 週期維持資料。
- ② 256×1SRAM:256×1 容量不足，且 SRAM 採用六電晶體正反器（6T Flip-Flop）結構，無需刷新但佔用面積較大，與圖示之記憶體架構不符。
- ④ 64K×1SRAM:64K×1 容量雖正確，但 SRAM 使用正反器作為儲存單元，結構上不需要Refresh 電路，其接腳定義與時序特性與 DRAM 不同，故不正確。
Learning Tip
"本題核心考點為 DRAM 與 SRAM 的架構差異及容量換算。64K = 2¹⁶，代表需 16 條位址線；DRAM 採 1T1C（一電晶體一電容）結構，需定期刷新，而 SRAM 採 6T 正反器結構，速度快但成本高。實務上常以位址線數量與控制訊號（如 RAS/CAS）來判別記憶體類型，注意勿將 K（Kilo=1024） 與十進位千位混淆。"
學員答題分佈
①256×1DRAM0%
②256×1SRAM0%
③64K×1DRAM0%
④64K×1SRAM0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！